如安装不妥流动畸变,中核控制此次成功自主研制百万千瓦级氮16辐射监测仪

电磁流量计常见故障问题的处理方法

电磁流量计运行中产生故障的##类为仪表本身故障,即仪表结构件或元器件损坏引起的故障。第二类为外界原因引起的故障,如安装不妥流动畸变,沉积和结垢等。

一、调试期故障

本类故障在电磁流量计初始装用调试时就出现,但一经改进排除故障,以后在相同条件下一般就不会再度出现。常见调试期故障主要有安装不妥、环境干扰、流体特性影响三方面原因。

1、管道系统和安装等方面

通常是电磁流量传感器安装位置不正确引起的故障,常见的例如将流量传感器安装在易积聚潴留气体的管网高点;流量传感器后无背压,液体迳直排人大气,形成其测量管内非满管;装在自上向下流的垂直管道上,可能出现排空等。

2、环境方面

主要是管道杂散电流干扰,空间电磁波干扰,大电机磁场干扰等。管道杂散电流干扰通常采取良好单独接地保护可获得满意测量,但如遇管道有强杂散电流亦不一定能克服,须采取流量传感器与管道缘绝的措施。空间电磁波干扰-般经信号电缆弓I入,通常采用单层或多层屏蔽予以保护,但也曾遇到屏蔽保护还不能克服。

3、流体方面

液体含有均匀分布细小气泡通常不影响正常测量,唯所测得体积流量是液体和气体两者之和;气泡增大会使输出信号波动,若气泡大到流过电极遮盖整个电极表面,使电极信号回路瞬时断开,输出信号将产生更大波动。低频(50/16
Hz-50/6
Hz)矩形波激磁电磁流量计测量液体中含有固体超过一定含量时将产生浆液噪声,输出信号亦会有一定程度波动。两种或两种以上液体作管道混合工艺时,若两种液体电导率(或各自与电极间电位)有差异,在混合未均匀前即进入流量传感器进行流量测量,输出信号亦会产生波动。电极材质与被测介质选配不善,产生钝化或氧化等化学作用,电极表面形成绝缘膜,以及电化学和极化现象等,均会妨碍正常测量。

二、运行期故障

经初期调试并正常运行一段时期后在运行期间出现的故障,常见故障原因有:流量传感器内壁附着层,雷电击,环境条件变化。

1、内壁附着层

由于电磁流量计测量含有悬浮固相或污脏体的机会远比其他流量仪表多,出现内壁附着层产生的故障概率也就相对较高。若附着层电导率与液体电导率相近,仪表还能正常输出信号,只是改变流通面积,形成测量误差的隐性故障;若是高电导率附着层,电极间电动势将被短路;若是绝缘性附着层,电极表面被绝缘而断开测量电路。后两种现象均会使仪表无法工作。

2、雷电击

雷电击在线路中感应瞬时高电压和浪涌电流,进入仪表就会损坏仪表。雷电击损仪表有3条引入途径:电源线,传感器勺转换器间的流量信号线和激磁线。然而从雷电故障中损坏零部件的分析,引起故障的感应高电压和浪涌电流大部分足从控制室电源线路引入的,其他两条途径较少。还从发生雷击事故现场了解到,不仅电磁流量计出现故障,控制室中其他仪表电常常同时出现雷击事故。因此使用单位要认识设置控制室仪表电源线防雷设施的重要性。

3、环境条件变化

主要原因同上节调试期故障环境方面,只是干扰源不在调试期出现而在运行期间再介入的。例如一台接地保护并不理想的电磁流量计,调试期因无干扰源,仪表运行正常,然而在运行期出现新干扰源(例如测量点附近管道或较远处实施管道电焊)干扰仪表正常运行,出现输出信号大幅度波动。咨询请联系www.xmsensor.com王春燕

芯片领域国家地方联合工程研究中心启动自主研发电力芯片关键技术
推动构建能源互联网

近日,首套国产百万千瓦级氮16辐射监测仪在江苏核电成功完成试运行工作。中核控制此次成功自主研制百万千瓦级氮16辐射监测仪,打破了国外核电站泄漏率辐射监测的技术垄断,为后续市场应用奠定了坚实的基础。
百万千瓦级氮16辐射监测仪属于核电站1E级设备。通过测量二回路主蒸汽管道内出现的氮16高能γ辐射,间接确定蒸汽发生器U型管的泄漏状况;在热停堆工况下,可测量主蒸汽管道内出现的其它核素的γ辐射水平,是压水堆核电站运行的必备设备。
中核控制为中国核工业集团有限公司全资公司,由中核核仪器厂和原北京中核东方控制系统工程有限公司于2013年10月15日重组成立,是国际上核仪表和控制系统领域,产品链最长、品种最齐全、配备最完整的专业核仪控供应商。
中核控制立足高标准、高起点、高水平的经营理念,集科研、生产于一体,业务范围涵盖核工程数字化控制系统产品研发、设计、系统制造、系统集成、工程实施及售后服务等全过程整体解决方案,制造核电子仪器、环境监测仪器、实验室仪器、堆测量控制仪器、工农业同位素应用仪器、核探测仪器、气体电离探测器、光电倍增管、无机有机核探测器、半导体探测器以及与上述业务相关的技术服务、产品及技术进出口、代理进出口等业务。
试用期历时5个月,百万千瓦级氮16辐射监测仪经历了核电站自零功率至满功率的全部阶段,试运行期间未发生故障、报警、异常状况,数据测量正常,运行稳定,各项性能指标满足江苏核电泄漏率辐射监测通道设备运行要求。

2019年5月20日

标签: 集成电路

5月17日,国家电网有限公司能源互联网智能终端核心芯片可靠性技术国家地方联合工程研究中心在北京启动建设。公司董事长、党组书记寇伟出席活动。公司副总经理、党组成员韩君出席活动并讲话。国家发展和改革委员会副秘书长任志武、北京市政府副秘书长刘印春出席活动并讲话。
工程中心致力于电力芯片关键技术研究,是解决制约产业发展关键核心技术问题、建立科研与产业纽带、促进科研成果向现实生产力转化的国家级实验研究平台。工程中心以国网信息通信产业集团有限公司智芯公司已有的能源互联网智能终端核心芯片可靠性技术北京市工程实验室为基础申报,联合中国电子信息产业集团有限公司第六研究所工业控制系统信息安全技术国家工程实验室,于今年4月获国家发改委批准。
其间,寇伟一行参观了国网信通产业集团智芯公司智能芯片产品展示厅和电力芯片设计分析实验室。
韩君在讲话中说,工程中心的启动对于提升芯片产业自主创新能力、推动构建能源互联网、推动能源电力行业高质量发展都具有重要意义。公司将以此为契机,加快建设工业芯片前沿技术创新高地,大力提高自主创新能力,大力实施协同创新,大力推动做大产业规模,努力将工程中心打造成为设备优良、技术先进、开放共享、协同创新的国内一流工业级芯片实验研究平台,推动产业链上下游协同发展,切实肩负起推动行业技术进步的重要使命。
据介绍,工程中心的前身——能源互联网智能终端核心芯片可靠性技术北京市工程实验室,前期已有大量的技术积累及成果,建成国家级院士工作站,承担各级科技项目76项,其中国家科技重大专项8项;研发工业核心芯片83款,应用量超过9亿颗;牵头获得国家科技进步二等奖、中国专利优秀奖各1项。该实验室积极开展合作共享,为250多家国内外单位解决了近3万个芯片实验分析难题。工程中心承建单位国网信通产业集团智芯公司连续六年被评为“中国十大集成电路设计企业”。
公司总信息师兼互联网部主任孙正运主持活动。国网办公厅、研究室、设备部、营销部、科技部、产业部、宣传部、国调中心,国网北京电力、国网信通产业集团负责人参加活动。来源:国家电网报

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